KennzifferIV-637/24
Aufgabenbeschreibung
Forschung in einem DFG Projekt als Teil des Schwerpunktprogramms „GaNius" auf dem Gebiet moderner Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter. Die Möglichkeit zur Promotion ist gegeben.
* Ausbau der Methoden und Testmöglichkeiten zur Charakterisierung von GaN-Leistungsbauelementen bezüglich trappingabhängiger Parameter
* Messtechnische Charakterisierung und Analyse von GaN-on-Si-Leistungshalbleitern
* Analyse der Langzeitstabilität der GaN-Leistungstransistoren
* Charakterisierung der Transistoren bei Temperaturen bis zu 175 °C
Erwartete Qualifikationen
* Erfolgreich abgeschlossenes wissenschaftliches Hochschulstudium (Master, Diplom oder Äquivalent) der Elektrotechnik und sehr gute Kenntnisse und Erfahrungen im Bereich Leistungselektronik, Wide-Bandgap-Halbleiterbauelemente, Messtechnik sowie Elektronik-Hardwareentwicklung sind Voraussetzung
* Fähigkeit zum selbständigen wissenschaftlichen Arbeiten wird vorausgesetzt
* Gute Deutsch- und/oder Englischkenntnisse in Wort und Schrift erforderlich; Bereitschaft die jeweils fehlenden Sprachkenntnisse zu erwerben
Wünschenswert:
* Praktische Erfahrung in der Entwicklung von Leistungselektronik sowie der Programmierung von Field Programmable Gate Array (FPGA) und Mikrocontrollern sind ausdrücklich erwünscht